Środowiskowe Laboratorium Fizyki i Wzrostu Kryształów Niskowymiarowych
Laboratorium SL3 zajmuje się wytwarzaniem i badaniem struktur półprzewodnikowych o obniżonej wymiarowości, tzn. studni (2D), drutów (1D) i kropek kwantowych (0D). Ponieważ obiekty te mają przynajmniej jeden wymiar o rozmiarze rzędu nanometrów, w centrum naszych zainteresowań jest rozwój technologii pozwalającej na precyzyjne wytwarzanie takich nano-obiektów. Technologią rozwijaną i wykorzystywaną w laboratorium SL3 jest epitaksja z wiązek molekularnych (Molecular Beam Epitaxy - MBE), która pozwala na kontrolę wymiaru struktury półprzewodnikowej z dokładnością do jednej warstwy atomowej. Technikę MBE stosujemy do wytwarzania struktur kwantowych na bazie półprzewodników z grup II-VI i IV-VI, tzn. selenków i tellurków kadmu, cynku, magnezu, ołowiu cyny i manganu. Struktury wytwarzane techniką MBE badane są w naszym laboratorium rożnymi metodami eksperymentalnymi takimi, jak fotoluminescencja, mikro-luminescencja, katodo-luminescencja, klasyczny i kwantowy transport elektronowy, skaningowa mikroskopia elektronowa etc. Metody te dostarczają cennych informacji o własnościach elektronowych, optycznych i magnetycznych układów kwantowych. Nasze badania, oprócz aspektów stricte naukowych, mają również znacznie praktyczne, ponieważ struktury niskowymiarowe wykorzystywane są szeroko do budowy nowoczesnych urządzeń i przyrządów elektronicznych, optoelektronicznych, fotowoltaicznych, oraz w diagnostyce medycznej.
