Atomic layer epitaxy of ZnO for applications in molecular beam epitaxy growth of GaN and IbGaN
- Afiliacje: ON4, ON4.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 18-05-00
- Strony: 49
- Wolumin: 41 (11)
- Autor: Godlewski Marek, Szczerbakow Andrzej, Ivanov Vitali Yuriy, Barski A., Goldys Ewa M.
- Tytuł publikacji: Atomic layer epitaxy of ZnO for applications in molecular beam epitaxy growth of GaN and IbGaN
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Elektronika - Konstrukcje, Technologie, Zastosowania
Elektronika - Konstrukcje, Technologie, Zastosowania, 41 (11) (2000)
