Channel switching and magnetoresistance of a metal-SiO2-Si structure
- Afiliacje: ON3, {ON3.3}
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-06-00
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,188
- Strony: L65-L67
- Wolumin: 33
- Autor: Dai J., Spinu L., Wang K. Y., Małkiński Leszek, Tang J.
- Tytuł publikacji: Channel switching and magnetoresistance of a metal-SiO2-Si structure
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Journal of Physics D (Applied Physics)
Journal of Physics D (Applied Physics), 33 (2000)
