Effect of annealing at argon pressure up to 1.2 Gpa on hydrogenpplassma-etched and hydrogen-implanted single-crystalline silicon
- Afiliacje: SL1, SL1.2, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-05-01
- Impact factor txt: 0,564
- Strony: 483-488
- Wolumin: 26 (5)
- Autor: Misiuk A., Bąk-Misiuk Jadwiga, Barcz Adam, Romano-Rodriguez A., Antonova I. V., Popov V. P., Londos C. A., Jun J.
- Tytuł publikacji: Effect of annealing at argon pressure up to 1.2 Gpa on hydrogenpplassma-etched and hydrogen-implanted single-crystalline silicon
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: International Journal of Hydrogen Energy
International Journal of Hydrogen Energy, 26 (5) (2001)
