Formation of Ohmic Contacts to MOCVD Grown p-GaN by Controlled Activation of Mg
- Afiliacje: SL1, SL1.2
- Data opublikowania (wydrukowania): 22-05-01
- Impact factor txt: 0,592
- Strony: 265-267
- Wolumin: 82
- Autor: Kamińska E., Piotrowska A., Barcz Adam, Bour D., Zieliński Marcin, Jasiński J.
- Tytuł publikacji: Formation of Ohmic Contacts to MOCVD Grown p-GaN by Controlled Activation of Mg
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials)
Materials Science and Engineering B (Advanced Functional Solid-State Materials), 82 (2001)
