Growth and transport properties of relaxed epilayers of InAs on GaAs
- Afiliacje: SL1, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 15-05-00
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,101
- Strony: 232-234
- Wolumin: 367
- Autor: Przesławski T., Wolkenberg W., Regiński K., Kaniewski J., Bąk-Misiuk Jadwiga
- Tytuł publikacji: Growth and transport properties of relaxed epilayers of InAs on GaAs
- DOI: https://doi.org/10.1016/S0040-6090(00)00696-9
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Thin Solid Films
Thin Solid Films, 367 (2000)
