High-resolution Laplace deep level transient spectroscopy a new tool to study implant damage in silicon
- Afiliacje: ON4, ON4.5
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-01-01
- Strony: 166
- Wolumin: 29
- Autor: Peaker A. R., Evans-Freeman J. H., Dobaczewski Leszek, Markevich V. P., Andersen O., Rubaldo Laurent, Kan P. Y. Y., Hawkins Ian D., Gościński Krzysztof, Bonde Nielsen K.
- Tytuł publikacji: High-resolution Laplace deep level transient spectroscopy a new tool to study implant damage in silicon
- Rok: 2001
- Czasopismo / konferencja / monografia: Electrochemical Society Proceedings - CLOSED in 2005 !!!
Electrochemical Society Proceedings - CLOSED in 2005 !!!, 29 (2001)
