Intrisic mobility of conduction electrons in 4H-SiC, ECSCRM2000
- Afiliacje: ON1, ON1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-12-00
- Impact factor txt: 0,981
- Strony: 483-486
- Wolumin: 353-356
- Autor: Pernot J., Contreras S., Neyret E., Di Cioccio L., Zawadzki Włodzimierz, Robert J. L.
- Tytuł publikacji: Intrisic mobility of conduction electrons in 4H-SiC, ECSCRM2000
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science Forum
Materials Science Forum, 353-356 (2000)
