Microwave Plasma Etching of GaN in Nitrogen Atmosphere
- Afiliacje: SL1, SL1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 16-09-00
- Impact factor: 1
- Impact factor txt: 1,01
- Strony: 150-155
- Wolumin: 181
- Autor: Frayssinet E., Przystawko P., Leszczynski Michał, Domagała Jarosław Z., Knap W., Robert J. L.
- Tytuł publikacji: Microwave Plasma Etching of GaN in Nitrogen Atmosphere
- DOI: https://doi.org/10.1002/1521-396X(200009)181:1<151::AID-PSSA151>3.0.CO;2-7
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Physica Status Solidi A - Applied Research (CLOSED 2004)
Physica Status Solidi A - Applied Research (CLOSED 2004), 181 (2000)
