Pressure sensors based on AlGaAs doped with Te and Sn
- Afiliacje: ON4, ON4.5
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-01-00
- Impact factor txt: 0,667
- Strony: 749-755
- Wolumin: 19 (1-6)
- Autor: Litwin-Staszewska E., Trzeciakowski W., Dmowski L., Stankevic V., Żytkiewicz Zbigniew
- Tytuł publikacji: Pressure sensors based on AlGaAs doped with Te and Sn
- DOI: https://doi.org/10.1080/08957950008202578
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: High Pressure Research
High Pressure Research, 19 (1-6) (2000)