High-resolution DLTS studies of vacancy-related defects in irradiated and in ion-implanted n-type silicon
- Afiliacje: ON4, ON4.5
- Data opublikowania (wydrukowania): 01-08-00
- Strony: 237-241
- Wolumin: 3-4
- Autor: Evans-Freeman J. H., Peaker A. R., Hawkins Ian D., Kan P. Y. Y., Terry J., Rubaldo Laurent, Ahmed M., Watts S., Dobaczewski Leszek
- Tytuł publikacji: High-resolution DLTS studies of vacancy-related defects in irradiated and in ion-implanted n-type silicon
- DOI: https://doi.org/10.1016/S1369-8001(00)00038-X
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Materials Science in Semiconductor Processing
Materials Science in Semiconductor Processing, 45355 (2000)