Free electron density and mobility in high-quality 4H-SiC
- Afiliacje: ON1, ON1.3
- Data opublikowania (wydrukowania): 25-12-00
- Impact factor: 4
- Impact factor txt: 4,184
- Strony: 4359-4361
- Wolumin: 77
- Autor: Pernot J., Contreras S., Camassel J., Robert J. L., Zawadzki Włodzimierz, Neyret E., Di Cioccio L.
- Tytuł publikacji: Free electron density and mobility in high-quality 4H-SiC
- DOI: https://doi.org/10.1063/1.1332102
- Rok: 2000
- Czasopismo / konferencja / monografia: Applied Physics Letters
Applied Physics Letters, 77 (2000)